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  • 湖南期货配资 厦门三安光电申请半导体外延结构专利, 避免刻蚀损伤和提高转移良率

  • 发布日期:2025-03-30 22:46    点击次数:75

湖南期货配资 厦门三安光电申请半导体外延结构专利, 避免刻蚀损伤和提高转移良率

金融界2025年3月29日消息,国家知识产权局信息显示湖南期货配资,厦门三安光电有限公司申请一项名为“半导体外延结构、发光二极管及制备方法、显示装置”的专利,公开号CN119698139A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,本发明公开一种半导体外延结构、发光二极管及制备方法、显示装置,该半导体外延结构包括衬底、刻蚀截止层及外延结构。其中,刻蚀截止层设置于衬底的上方,刻蚀截止层的厚度大于等于外延层设置于刻蚀截止层的上方,外延层在刻蚀截止层的上方依次叠置第一半导体层、有源层及第二半导体层。由于刻蚀截止层整体厚度较厚,即使干法刻蚀存在误差导致刻蚀深度过深也不会导致位于隔离槽位置的刻蚀截止层被刻蚀穿,仍然剩余足够厚度的刻蚀截止层对边缘位置的外延层进行保护,避免后续去除衬底时湿法刻蚀液对外延层造成侧蚀损伤。并且,由于刻蚀截止层没有被刻蚀穿,不会在后续去除衬底后在发光二极管的转移面上形成凸起的表面,影响转移良率。

天眼查资料显示,厦门三安光电有限公司,成立于2014年,位于厦门市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币,实缴资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析,厦门三安光电有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目34次,专利信息466条,此外企业还拥有行政许可33个。

本文源自:金融界湖南期货配资



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